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1567nm VCSEL垂直腔面發(fā)射激光器 1.0mW 產品總覽 垂直腔面發(fā)射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser），簡稱VCSEL,是一種半導體激光器，其激光垂直于頂面射出。以砷化鎵半導體材料為基礎研制，不同于LED（發(fā)光二極管）和LD（激光二極管）。結構由鏡面，有源層和金屬接觸層組成。兩個發(fā)射鏡分別為P型，N型布拉格發(fā)射器。

795nm VCSEL單模低功耗芯片 GaAs 0.13mW (Group4 Ta=90±10°C) 產品總覽 垂直腔面發(fā)射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser），簡稱VCSEL,是一種半導體激光器，其激光垂直于頂面射出。以砷化鎵半導體材料為基礎研制，不同于LED（發(fā)光二極管）和LD（激光二極管）。

852±1nm Philips單模VCSEL激光器 1mW（帶TEC） Philips單模VCSEL激光器具有出光功率高，線寬窄以及良好的一致性目前深受國內科研客戶青睞。目前我們現有庫存波長760nm 用于TDLAS氧氣檢測，以及795nm用于Rb原子鐘實驗，還有852nm用于CS原子冷卻。

795nm單模VCSEL激光器 1mw Philips (二極管已停產 芯片在售) Philips單模VCSEL激光器具有出光功率高，線寬窄以及良好的一致性目前深受國內科研客戶青睞。目前我們現有庫存波長760nm 用于TDLAS氧氣檢測，以及795nm用于Rb原子鐘實驗，還有852nm用于CS原子冷卻。

1654nm 帶尾纖VCSEL激光器 測試CH4 筱曉光子的新款1654nm VCSEL激光器中應用了新的發(fā)明的高對比度光柵層(HCG)，HCG比傳統(tǒng)的分布布拉格反射鏡（DBR）薄約50倍，但具有更高的反射率和更寬的光譜寬度。我們的這款激光器具有高達8nm的調諧范圍，調諧頻率可達100kHz,是測試CH4氣體的理想選擇。