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碲鎘汞雙極熱電制冷紅外光電探測(cè)器

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

2.9-5.5um 碲鎘汞雙極熱電制冷紅外光電探測(cè)器是一種基于精密碲鎘汞異質(zhì)結(jié)構(gòu)的雙極熱電制冷紅外光電探測(cè)器具有好的性能和穩(wěn)定性。對(duì)器件進(jìn)行了優(yōu)化，使得器件在5um處達(dá)到大性能，探測(cè)器元件與超半球GaAs微透鏡進(jìn)行單片集成，以提高器件的性能。

產(chǎn)品型號(hào)：

更新時(shí)間：2024-12-04

廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商

訪問量：1685

產(chǎn)品咨詢 18602170419

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產(chǎn)品分類

光電探測(cè)器

超快光電探測(cè)器/EOT 單光子探測(cè)器/計(jì)數(shù)器光電倍增管其他光電探測(cè)器 Ge鍺光電探測(cè)器 Ge鍺光電二極管砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb InP磷化銦光電探測(cè)器 Si硅光電探測(cè)器 Si硅光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電探測(cè)器 MCT碲鎘汞探測(cè)器

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品牌	其他品牌	產(chǎn)地類別	進(jìn)口
應(yīng)用領(lǐng)域	化工,能源,建材/家具,電子/電池

PVI-2TE-5-1×1-TO8-wAl2O3-36是一種基于精密碲鎘汞異質(zhì)結(jié)構(gòu)的雙極熱電制冷紅外光電探測(cè)器具有好的性能和穩(wěn)定性。對(duì)器件進(jìn)行了優(yōu)化，使得器件在5um處達(dá)到大性能，探測(cè)器元件與超半球GaAs微透鏡進(jìn)行單片集成，以提高器件的性能。反向偏置可以顯著提高響應(yīng)速度和動(dòng)態(tài)范圍。它還提高了高頻的性能，但在偏置設(shè)備中出現(xiàn)的1/f噪聲可能會(huì)降低低頻的性能。3°楔形藍(lán)寶石（wAl2O3）窗防止不必要的干擾效應(yīng)

產(chǎn)品特點(diǎn)

● 高性能

● 歸一化探測(cè)率與同類型的非制冷探測(cè)器相比，要好一個(gè)數(shù)量級(jí)

● 寬動(dòng)態(tài)范圍

● 體積小巧

封裝及尺寸

參數(shù)	數(shù)值
浸沒微透鏡形狀	超半球
光敏面積，mm×mm	1×1
R,mm	0.8
A,mm	3.2±0.3

Φ:接受角度

A:從2TE-TO8報(bào)頭底部到焦平面的距離

R:超半球微透鏡半徑

功能	引腳定義
探測(cè)器	1，3
反向偏置	1（-），3（+）
熱敏電阻	7,9
TE制冷	2（+），8（-）
接地	11
無定義	4,5,6,12

使用和存儲(chǔ)注意事項(xiàng):

標(biāo)準(zhǔn)歐姆計(jì)可能會(huì)過偏，損壞探測(cè)器。偏置10mV可用于電阻測(cè)量

熱阻~2K/W是散熱2TE冷卻器產(chǎn)生的熱量所必需的

在10%至80%濕度和-20°C至30°C環(huán)境溫度下運(yùn)行

光學(xué)浸沒探測(cè)器的光束功率限制：

● 在表觀光學(xué)活性區(qū)域上，連續(xù)波或單脈沖超過1μs輻照度不得超過2.5W/cm2

● 小于1μs的脈沖的輻照度不得超過10kW/cm2

● 存放在陰涼的地方，濕度為10%至90%，環(huán)境溫度為-20°C至50℃。

產(chǎn)品應(yīng)用

● 非接觸式溫度測(cè)量（鐵路運(yùn)輸、工業(yè)和實(shí)驗(yàn)室過程監(jiān)測(cè)）

● 火焰爆炸探測(cè)

● 威脅預(yù)警系統(tǒng)

● 氣體檢測(cè)、監(jiān)測(cè)和分析（CO、CO2、NOx）

● 體內(nèi)酒精檢測(cè)

● 呼吸分析

● 固體分析

● 輸氣管道泄露控制

● 燃燒過程控制

訂購(gòu)信息

PVI-2TE-5-1×1-TO8-wAl2O3-36

PVI: 光伏探測(cè)器

2TE: 雙極制冷

5: 最佳波長(zhǎng)5um

1×1: 光敏面面積1×1mm

TO8: 封裝類型

wAl2O3: 窗口材料

36: 接受角度36°

技術(shù)參數(shù)

參數(shù)	探測(cè)器類型
參數(shù)	PVI-2TE-5-1×1-TO8-wAl2O3-36
活性元素材料	外延碲鎘汞異質(zhì)結(jié)
起始波長(zhǎng)λcut-on（10%），um	2.9±1.0
峰值波長(zhǎng)λpeak，um	4.2±0.5
波長(zhǎng)λopt,um	5.0
終止波長(zhǎng)λcut-off（10%）,um	5.5±0.3
歸一化探測(cè)率D*(λpeak), cm·Hz1/2/W	≥2.0×1011
歸一化探測(cè)率D*(λopt), cm·Hz1/2/W	≥9.0×1010
電流響應(yīng)度Ri(λpeak), A/W	≥2.0
電流響應(yīng)度Ri(λopt), A/W	≥1.3
時(shí)間常數(shù)τ, ns	≤80
電阻R,Ω	≥1000
活性元件溫度Tdet，K	~230
光敏面大小，mm×mm	1×1
封裝	TO8
接受角φ	~36°
窗口	wAl2O3